<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">btps</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Безопасность техногенных и природных систем</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Safety of Technogenic and Natural Systems</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="epub">2541-9129</issn><publisher><publisher-name>Don State Technical University</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.23947/2541-9129-2023-7-3-7-13</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">btps-270</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ТЕХНОСФЕРНАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>TECHNOSPHERE SAFETY</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Теплоустойчивость теллурида кадмия в инфракрасных детекторах для мониторинга пожарной обстановки</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Thermal Stability of Cadmium Telluride in Infrared Detectors for Monitoring Fire Conditions</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0003-4677-6210</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Мозжерин</surname><given-names>А. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Mozzherin</surname><given-names>A. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Александр Владимирович Мозжерин, кандидат физико-математических наук, доцент кафедры ЮНЕСКО новых материалов и технологий</p><p>AuthorID: 623661</p><p>660041, РФ, Красноярский край, г. Красноярск, пр. Свободный, 79</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Aleksandr V. Mozzherin, Cand. Sci. (Phys.-Math.), Associate Professor of the UNESCO New Materials and Technologies Department</p><p>AuthorID: 623661</p><p>79, Svobodny Ave., Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk, 660041</p></bio><email xlink:type="simple">Amozzherin@sfu-kras.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0002-6863-1509</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Паклин</surname><given-names>Н. Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Paklin</surname><given-names>N. N.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Николай Николаевич Паклин, кандидат физико-математических наук, доцент кафедры теоретической физики и волновых явлений</p><p>AuthorID: 653274</p><p>660041, РФ, Красноярский край, г. Красноярск, пр. Свободный, 79</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Nikolay N. Paklin, Cand. Sci. (Phys.-Math.), Associate Professor of the Theoretical Physics and Wave Phenomena Department</p><p>AuthorID: 653274</p><p>79, Svobodny Ave., Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk, 660041</p></bio><email xlink:type="simple">Npaklin@sfu-kras.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Сибирский федеральный университет</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Siberian Federal University</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2023</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>31</day><month>08</month><year>2023</year></pub-date><volume>0</volume><issue>3</issue><fpage>7</fpage><lpage>13</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Мозжерин А.В., Паклин Н.Н., 2023</copyright-statement><copyright-year>2023</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Мозжерин А.В., Паклин Н.Н.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Mozzherin A.V., Paklin N.N.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://www.bps-journal.ru/jour/article/view/270">https://www.bps-journal.ru/jour/article/view/270</self-uri><abstract><sec><title>Введение</title><p>Введение. Тепловое воздействие пожара на технические средства — распространенная и серьезная проблема. В этой  связи  представляется актуальной задачей  исследование  физико-химических  и  тепловых  превращений  в устройствах  на  основе  теллурида  кадмия при техногенных  или  природных  пожарах. По  ряду  материалов подобные  исследования не  проводились,  а  имеющиеся  результаты  недостаточны  или узкопрофильны. В предложенной  статье представлены  новые  данные  по  дефектостойкости  и  применимости  материала  в зависимости  от  теплового  воздействия.</p><p>Цель  исследования — изучение особенностей деградации  под воздействием экстремальных температур для создания новых материалов с заданными свойствами.</p></sec><sec><title>Материалы и методы</title><p>Материалы и методы. Исследовались образцы теллурида кадмия (CdTe), используемые в солнечных панелях и детекторах.  В  практической части работы  оценивалось тепловое  воздействие  на  образец  обычных  и экстремальных  температур  с  последующим  изучением  материала  методами  просвечивающей  электронной микроскопии. Эксперименты имитировали зону теплового воздействия пожара. Расчетно-теоретическая работа заключалась в  совершенствовании  математической  модели  физико-химических  превращений  и  эволюции дефектов при тепловом воздействии до 1092 °С. Математическая модель учитывала теплодозу, характерную для неуправляемого горения. Для решения уравнений задействовали программный пакет Maple.</p></sec><sec><title>Результаты исследования</title><p>Результаты исследования. Визуализировано формирование дефектов в образце CdTe при существенно разных уровнях теплового воздействия. Нижняя граница — около 20 °С, верхняя — более 600 °С. Детально проработаны превращения в контрольных образцах CdTe при воздействии температуры до 1092 °С с шагом 15 °С. Точечные дефекты,  обусловленные  воздействием  температуры,  представлены  как  фактор  разрушения  материала,  а следовательно, и сбоев в работе устройства. Решена система уравнений, которая учитывает комплекс параметров: частоту  колебаний атомов  в  решетке,  температуру,  концентрации  узлов  CdTe, междоузельных  атомов  и вакансий,  миграцию  и  присоединение  междоузельных  атомов  и  вакансий.  Графически  представлены концентрации вакансий и междоузельных атомов в образцах CdTe в зависимости от толщины и температуры. Итоги  научных  изысканий  позволяют  утверждать,  что  детекторы  на  основе  CdTe относительно  корректно работают только  при  теплодозе  до  400 °С.  В  диапазонах  400–600 °С  дефектная  сеть  материала  активно эволюционирует, препятствуя разрушению. Однако дальнейшее увеличение теплового воздействия приводит к полной деградации оборудования, что не позволяет использовать теллурид кадмия в экстремальных условиях даже непродолжительное время.</p></sec><sec><title>Обсуждение и  заключение</title><p>Обсуждение и  заключение.  Предложенная  усовершенствованная  модель  физико-химических  превращений  в устройствах на основе CdTe в зонах теплового воздействия позволит более избирательно подходить к вопросу использования оборудования. Кроме того, необходимо совершенствовать материалы и повышать их стойкость к экстремальным температурам.</p></sec></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><sec><title>Introduction</title><p>Introduction. Thermal effect of fire on technical means is a common and serious problem. In this regard, it seems an urgent task to study physicochemical and thermal transformations in devices based on cadmium telluride during man-made or natural fires. For a number of materials, such studies have not been conducted, and the available results are insufficient or narrowly focused. The proposed article presents new data on the defect resistance and applicability of the material depending on the thermal effect. The work objective is to study the features of degradation under the influence of extreme temperatures to create new materials with specified properties.</p></sec><sec><title>Materials and Methods</title><p>Materials and Methods. Cadmium telluride (CdTe) samples used in solar panels and detectors were studied. In the practical part of the work, the thermal effect on the sample of normal and extreme temperatures was evaluated, followed by the study of the material by transmission electron microscopy methods. The experiments simulated a zone of thermal impact of a fire. The computational and theoretical work consisted in improving the mathematical model of physical and chemical transformations and the evolution of defects under thermal influence up to 1092 °C. The mathematical model took into account the heat dose characteristic of uncontrolled combustion. The Maple software package was used to solve the equations.</p></sec><sec><title>Results</title><p>Results. The formation of defects in a CdTe sample at significantly different levels of thermal exposure was visualized. The lower limit was about 20 °С, the upper one was more than 600 °С. Transformations in CdTe control samples under the influence of temperatures up to 1092 °С with a step of 15 °С were worked out in detail. Point defects caused by the influence of temperature were presented as a factor of destruction of the material, and consequently, failures in the operation of the device. A system of equations was solved that takes into account a set of parameters: the frequency of vibrations of atoms in the lattice, temperature, concentrations of CdTe nodes, interstitial atoms and vacancies, migration and attachment of interstitial atoms and vacancies. The concentrations of vacancies and interstitial atoms in CdTe samples depending on thickness and temperature were graphically presented. The results of scientific research allowed us to assert that CdTe-based detectors worked relatively correctly only at a heat dose of up to 400 °С. In the ranges of 400-600 °С, the defective network of the material actively evolved, preventing destruction. However, a further increase in thermal exposure led to complete degradation of the equipment, which did not allow the use of cadmium telluride in extreme conditions, even for a short time.</p><p>Discussion and Conclusion. The proposed improved model of physical and chemical transformations in CdTe-based devices in heat-affected areas will allow a more selective approach to the use of equipment. In addition, it is necessary to improve materials and increase their resistance to extreme temperatures.</p></sec></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>теллурид кадмия</kwd><kwd>формирование дефектов в образце CdTe</kwd><kwd>концентрация узлов</kwd><kwd>концентрация вакансий</kwd><kwd>междоузельные атомы CdTe</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>cadmium telluride</kwd><kwd>formation of defects in a CdTe sample</kwd><kwd>density of nodes</kwd><kwd>vacancy concentration</kwd><kwd>CdTe interstitial atoms</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Glas F. A simple calculation of energy changes upon stacking fault formation or local crystalline phase transition in semiconductors. Journal of Applied Physics. 2008;104(9):093520. https://doi.org/10.1063/1.3009338</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Glas F. A simple calculation of energy changes upon stacking fault formation or local crystalline phase transition in semiconductors. Journal of Applied Physics. 2008;104(9):093520. https://doi.org/10.1063/1.3009338</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Мозжерин А.В., Паклин Н.Н. Дефектообразование в теллуриде кадмия. В: Тр. XXV Междунар. науч.-практ. конф., посвященной памяти генерального конструктора ракетно-космических систем академика М.Ф. Решетнева. Красноярск: Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева; 2021. С. 581–582.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Mozzherin AV, Paklin NN. Defektoobrazovanie v telluride kadmiya. In: Tr. XXV Mezhdunar. nauch.-prakt. konf., posvyashchennoi pamyati general'nogo konstruktora raketno-kosmicheskikh sistem akademika M.F. Reshetneva. Krasnoyarsk: Reshetnev Siberian State University of Science and Technology; 2021. P. 581–582.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Логинов Ю.Ю, Браун П.Д., Дьюроуз К. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A B . Москва: Логос; 2003. 304 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Loginov YuYu, Braun PD, Dyurouz K. Zakonomernosti obrazovaniya strukturnykh defektov v poluprovodnikakh A B  Moscow: Logos; 2003. 304 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Логинов Ю.Ю., Мозжерин А.В., Брильков А.В. Электронно-микроскопические исследования дефектообразования в легированных примесями монокристаллах CdTe, ZnS, ZnSe. Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета имени академика М.Ф. Решетнева. 2013;3(49):209–211. https://vestnik.sibsau.ru/en_US/vestnik/902/ (дата обращения: 25.07.2023).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Loginov YuYu, Mozsherin AV, Brilikov AV. The electron microscopic study of the defect formation in the doped single crystals CdTe, ZnS and ZnSe. Vestnik Sibirskogo gosudarstvennogo aerokosmicheskogo universiteta imeni akademika M.F. Reshetneva. 2013;3(49):209–211. https://vestnik.sibsau.ru/en_US/vestnik/902/ (accessed: 25.07.2023).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Синдо Д., Оикава Т. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия. Москва: Техносфера; 2006. 256 с. URL: https://www.technosphera.ru/lib/book/83 (дата обращения: 25.07.2023).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Sindo D, Oikava T. Analiticheskaya prosvechivayushchaya elektronnaya mikroskopiya. Moscow: Tekhnosfera; 2006. 256 p. URL: https://www.technosphera.ru/lib/book/83 (accessed: 25.07.2023).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Loginov Y.Y., Mozzherin A.V., Paklin N.N. Particularities of the interstitial atoms and vacancies clusters formation in a thin cadmium telluride foil during in situ electron irradiation in a TEM. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 2022;1230:012013. https://doi.org/10.1088/1757-899X/1230/1/012013</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Loginov YY, Mozzherin AV, Paklin NN. Particularities of the interstitial atoms and vacancies clusters formation in a thin cadmium telluride foil during in situ electron irradiation in a TEM. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 2022;1230:012013. https://doi.org/10.1088/1757-899X/1230/1/012013</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Горичок И.В. Энтальпия образования дефектов Шоттки в полупроводниках. Физика твердого тела. 2012;54(7);1373–1376. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/665 (дата обращения: 25.07.2023).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Gorichok IV. Enthalpy of formation of schottky defects in semiconductors. Physics of the Solid State. 2012;54(7);1373–1376. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/665 (accessed: 25.07.2023).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Loginov Yu.Yu., Mozzherin A.V., Paklin N.N. Modeling structural defect formation in cadmium telluride during electron irradiation. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 2019;467:012007. https://doi.org/10.1088/1757-899X/467/1/012007</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Loginov YuYu, Mozzherin AV, Paklin NN. Modeling structural defect formation in cadmium telluride during electron irradiation. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 2019;467:012007. https://doi.org/10.1088/1757-899X/467/1/012007</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Паклин Н.Н., Логинов Ю.Ю., Мозжерин А.В. Равновесное распределение дефектов в теллуриде кадмия до воздействия внешних факторов. Сибирский аэрокосмический журнал. 2022;23(2):315–320. https://doi.org/10.31772/2712-8970-2022-23-2-315-320</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Paklin NN, Loginov YuYu, Mozzherin AV. Equilibrium distribution of defects in cadmium telluride before exposure to external factors. The Siberian Aerospace Journal. 2022;23(2):315–320. https://doi.org/10.31772/2712-8970-2022-23-2-315-320</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
